Planar fxP采用Trikon專利的Flowfill和Low k Flowfill技術(shù)，用于標(biāo)準(zhǔn)和低k金屬間電介質(zhì)（IMD），使邏輯和DRAM制造商能夠輕松遷移到更高級(jí)的設(shè)計(jì)規(guī)則和更高速的器件，而無需更換硬件，該公司表示。

Low k Flowfill為芯片制造商提供了一種減色鋁，“低k率”方法，0.18微米，介電常數(shù)為2.8，超出了半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的技術(shù)路線圖要求。 Trikon表示，當(dāng)用于鑲嵌技術(shù)時(shí)，Low k Flowfill將提供具有2.5的介電常數(shù)的彈性超低k薄膜，可以與其他加工步驟集成。據(jù)該公司稱，該技術(shù)甚至被證明為k = 2.2。

由于Low k Flowfill提供的間隙填充低于0.1微米，DRAM制造商可以在接下來的三個(gè)采用相同的低k解決方案切換到damascene技術(shù)之前的四個(gè)設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)。

Trikon的標(biāo)準(zhǔn)Low k Flowfill提供高度可靠的間隙填充和自平面化，使其成為氧化物IMD的理想選擇，該公司表示。它還為0.13微米及以下的DRAM提供了一種替代的，基于非等離子的先進(jìn)金屬前介電（PMD）解決方案，具有低熱預(yù)算。

“Planar fxP的多功能性和靈活性使其成為可能目前，成本最低，風(fēng)險(xiǎn)最低的生產(chǎn)選擇使芯片制造商能夠調(diào)整他們的晶圓廠和運(yùn)營，使他們能夠在不斷變化的市場(chǎng)條件下領(lǐng)先一步，“Trikon市場(chǎng)營銷副總裁Bernard Culverhouse說。

Planar fxP為Trikon經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的CVD工藝硬件增加了額外的功能和生產(chǎn)力。新的晶圓傳輸模塊使用快速動(dòng)作機(jī)器人處理器提供更高的吞吐量密度，具有雙末端執(zhí)行器，可提供三個(gè)運(yùn)動(dòng)軸。兩個(gè)真空盒式負(fù)載鎖為工廠提供接口，可輕松與SMIF或其他自動(dòng)化系統(tǒng)集成。

晶圓定位站和冷卻模塊集成在傳輸模塊中，提供全面的過程控制和與標(biāo)準(zhǔn)塑料盒的兼容性。傳輸模塊周圍的六個(gè)過程模塊位置允許指定工具配置，以便最大化吞吐量。

“晶圓使工具完成并準(zhǔn)備好進(jìn)入下一個(gè)主要工藝步驟，大大減少了工作 - Trikon的CVD產(chǎn)品營銷經(jīng)理Andy Noakes表示，整個(gè)工廠的進(jìn)展和工作流程更加順暢。

由于Trikon的低k薄膜易于集成，因此對(duì)后處理步驟的影響微乎其微。設(shè)備。這進(jìn)一步降低了成本實(shí)施并縮短了制造商產(chǎn)品的上市時(shí)間。“

Trikon通過實(shí)施新的等離子清潔技術(shù)，最大限度地減少了PFC排放，從而最大限度地減少了這種新工具對(duì)環(huán)境的影響。超過85％，并最大化室內(nèi)清潔之間的正常運(yùn)行時(shí)間和處理過的晶圓吞吐量。