產(chǎn)品型號: 3LN01C-TB-H-VB
絲印: VB1330
品牌: VBsemi
參數(shù): 
- 封裝類型: SOT23
- 溝道類型: N—Channel
- 最大漏極電壓: 30V
- 最大漏極電流: 6.5A
- 開啟電阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.2~2.2V

應(yīng)用簡介:
3LN01C-TB-H-VB是一款N—Channel溝道的SOT23封裝場效應(yīng)晶體管。其特點包括在VGS=10V和VGS=20V時的低漏電阻，適用于需要N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管的電路。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:
該產(chǎn)品適用于各種電子設(shè)備和模塊，特別是在需要N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管的電路中。常見應(yīng)用領(lǐng)域包括功率放大器、開關(guān)電源、電源管理等。

請注意: 在使用該產(chǎn)品時，請仔細閱讀其數(shù)據(jù)手冊以確保正確的使用和應(yīng)用。