--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**2SJ345-VB Transistor**
- **絲印:** VB264K
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
- 封裝:SOT23
- 極性:P—Channel溝道
- 最大耐壓:-60V
- 最大電流:-0.5A
- 開通電阻:RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=-1.87V
- **封裝:** SOT23
**詳細參數(shù)說明:**
2SJ345-VB是一款P—Channel溝道場效應晶體管,采用SOT23封裝,具有以下特性:最大耐壓為-60V,最大電流為-0.5A。開通電阻在不同門源電壓下分別為3000mΩ(VGS=10V)和3000mΩ(VGS=20V)。閾值電壓為-1.87V。
**應用簡介:**
2SJ345-VB適用于多種電子設備和模塊,包括但不限于:
1. **電源管理模塊:** 由于其P—Channel溝道特性,可在電源管理模塊中實現(xiàn)高效能耗控制。
2. **音頻放大器:** 適用于音頻放大器電路,提供可靠的信號放大功能。
3. **電源逆變器:** 在電源逆變器中,通過其低開通電阻和適度的電流能力,實現(xiàn)有效的電能逆變。
請注意,以上僅為示例,實際應用需根據(jù)具體設計要求和電路條件進行調(diào)整。
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