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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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STD3NK50Z-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: STD3NK50Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**詳細參數說明:**
- **型號:** STD3NK50Z-VB
- **絲印:** VBE165R04
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** TO252
- **溝道類型:** N-Channel
- **額定電壓(Vds):** 650V
- **額定電流(Id):** 4A
- **導通電阻(RDS(ON)):** 2200mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V

**應用簡介:**
適用于高電壓、中功率負載開關應用,是N-Channel MOSFET,可在高電壓環境下提供有效的功率控制和開關操作。

**主要應用領域和模塊:**
1. **電源模塊:** 用于高電壓開關電源、穩壓器等電源模塊,提供有效的能量轉換。
2. **電動車充電器:** 在電動車充電器中,作為開關元件,控制電流流向,實現充電功能。
3. **電機驅動:** 在高電壓電機驅動模塊中,作為電機的開關元件,實現電機的精確控制。
4. **高壓LED驅動:** 適用于高壓LED照明控制模塊,提供可調光和開關功能。

**作用:**
STD3NK50Z-VB作為N-Channel MOSFET,可在高電壓、中功率負載開關應用中提供可靠的功率控制和開關操作。

**使用注意事項:**
1. **電壓等級:** 確保在規定的額定電壓范圍內使用,避免超過最大額定電壓。
2. **電流限制:** 不要超過規定的最大額定電流,以防損壞元件。
3. **溫度:** 注意工作溫度范圍,確保在適當的溫度條件下使用。
4. **驅動電壓:** 在控制端(Gate)施加適當的驅動電壓,以確保可靠的功率控制。
5. **閾值電壓范圍:** 注意閾值電壓范圍,確保在規定的范圍內實現正常操作。

以上是對STD3NK50Z-VB的詳細參數、應用和使用注意事項的簡要說明。確保按照規格書和數據手冊中的指導操作。

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