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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MDU1514URH-VB場效應管一款N溝道DFN8(5X6)封裝的晶體管

型號: MDU1514URH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 DFN8(5X6)封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:MDU1514URH-VB
絲印:VBQA1308
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 封裝類型:DFN8(5X6)
- 溝道類型:N—Channel
- 最大漏電壓(Vds):30V
- 最大漏極電流(Id):80A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):7mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):0.82V

封裝:DFN8(5X6)

應用簡介:
MDU1514URH-VB是一款N-Channel溝道MOSFET,適用于高功率、高電流的電路和模塊設計,特別是在需要小型尺寸、高性能N-Channel MOSFET的應用中。

領域模塊應用:
1. **電源模塊:** 適用于高功率開關電源、電源逆變器等模塊設計,能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **電機驅(qū)動模塊:** 由于其高電流和低漏電壓特性,可用于電機驅(qū)動和控制模塊,提供可靠的電流輸出和驅(qū)動性能,尤其在需要小型化設計的應用中。

3. **電池保護模塊:** 用于電池充放電管理電路,提供高效的電池管理和保護功能。

4. **LED照明模塊:** 在需要高亮度和高功率的LED照明系統(tǒng)中,MDU1514URH-VB可以用于開關電源設計,以實現(xiàn)高效的LED照明。

5. **小型化設備:** 由于其小型封裝和高性能特性,適用于小型化設備設計,如便攜式電子設備、傳感器節(jié)點等。

請注意,以上是一些典型的應用場景,實際使用時需根據(jù)具體電路和系統(tǒng)要求進行選擇和設計。在集成MDU1514URH-VB時,建議仔細閱讀其數(shù)據(jù)手冊以獲取詳細的電特性和操作信息。

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