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SGN26C320I2D 高壓 大功率GaN HEMT

型號： SGN26C320I2D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 SGN26C320I2D
  • 名稱 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGN26C320I2D 

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN26C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常適合用于2.6GHz LTE設計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    SGN26C320I2D
名稱                    用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：55.0dBm（典型值）@Psat
高效率：60%（典型值）@Psat
功率增益：16.0dB（典型值）@f=2.6GHz
經(jīng)驗證的可靠性
僅適用于Doherty放大器的峰值級


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