--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號: TP0610K-T1-E3-VB
絲印: VB264K
品牌: VBsemi
參數(shù): P溝道, -60V, -0.5A, RDS(ON) 3000mΩ @ 10V, 3680mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); -1.87Vth (V)
封裝: SOT23
詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:
1. 溝道類型:P溝道
- 這表示這是一種P溝道MOSFET,通常用于需要控制負電壓電源的應(yīng)用。
2. 額定電壓 (VDS):-60V
- 這是溝道MOSFET能夠承受的最大負電壓,表示它適用于需要處理高達-60V的電路。
3. 額定電流 (ID):-0.5A
- 這是溝道MOSFET的額定電流,表示它可以處理的小電流負載。
4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):
- RDS(ON)是溝道MOSFET的導通狀態(tài)下的電阻。在10V的情況下,它的電阻為3000mΩ,而在4.5V的情況下為3680mΩ。這表明在導通狀態(tài)下,它的電阻相對較高,適用于小功率應(yīng)用。
5. 柵源電壓額定值 (Vgs):20V (±V)
- 這表示柵源電壓的額定范圍為正負20V。柵源電壓用來控制MOSFET的導通和截止狀態(tài)。
6. 閾值電壓 (Vth):-1.87V
- 這是溝道MOSFET的閾值電壓,表示需要應(yīng)用在柵極上的電壓,以使器件開始導通。
應(yīng)用簡介:
這種型號的P溝道MOSFET通常用于小功率應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊:
1. 電源開關(guān):它可以用于小功率電源開關(guān)模塊,如電池保護電路,以實現(xiàn)電池的充電和放電控制。
2. 信號開關(guān):在小功率信號開關(guān)應(yīng)用中,如音頻信號開關(guān),它可以用于控制信號通路。
3. 電源逆變器:在低功率逆變器中,它可以用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源。
4. 低功率控制:在需要控制小功率負載的應(yīng)用中,如LED控制和小電機控制,它可以用作負載開關(guān)。
總之,這種型號的P溝道MOSFET適用于需要處理小功率電源和負載的領(lǐng)域,以滿足功率開關(guān)和電源管理的需求,特別是需要處理負電壓電源的小功率應(yīng)用。由于其較低的電流和電壓能力,適用于小功率應(yīng)用。
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