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SGN19C210I2D 高壓 大功率GaN HEMT

型號: SGN19C210I2D

--- 產品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 SGN19C210I2D
  • 名稱 高壓-大功率GaN HEMT
  • 產地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產品詳情 ---

SGN19C210I2D

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN19C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作,并為您提供更高的增益。此新產品非常適合用于1.9GHz LTE設計要求因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    SGN19C210I2D
名稱                    高壓-大功率GaN HEMT
產地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高壓操作:VDS=50V
高功率:50.5dBm(典型值)@Psat
高效率:65%(典型值)@Psat
功率增益:19dB(典型值)@f=1.6GHz
經驗證的可靠性


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