型號：SI2307CDS-T1-E3-VB
絲印：VB2355
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：P溝道
- 額定電壓：-30V
- 最大持續(xù)電流：-5.6A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：-1V
- 封裝：SOT23

詳細(xì)參數(shù)說明：
SI2307CDS-T1-E3-VB 是一款 P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，具有-30V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為-5.6A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好，分別為 47mΩ @ 10V 和 56mΩ @ 4.5V。此外，它的閾值電壓（Vth）為-1V。

應(yīng)用簡介：
SI2307CDS-T1-E3-VB 通常用于電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用中，特別適用于需要 P 溝道 MOSFET 的電路。由于其 P 溝道特性，它可用于反相開關(guān)和負(fù)電源電路。SOT23 封裝使其易于集成到小型電子設(shè)備中。這種型號的 MOSFET 可以在各種領(lǐng)域的模塊中使用，如電源逆變器、電源開關(guān)、電池保護(hù)電路、移動設(shè)備和充電管理，以及其他需要負(fù)電源開關(guān)的應(yīng)用。它的低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力使其在高效率、低功耗應(yīng)用中非常有用。