型號：TK20S06K3L-VB
絲印：VBE1638
品牌：VBsemi
參數說明：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：60V
- 最大電流：45A
- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
- 門源極電壓（±Vgs）：20V
- 門源極閾值電壓（Vth）：1.8V
- 封裝類型：TO252

應用簡介：
TK20S06K3L-VB是一款高性能N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），具有高電壓承受能力、高電流承受能力和低漏極-源極電阻。這些特性使其在多種高功率電子領域的模塊中得到廣泛應用。

應用領域：
1. 電源模塊：TK20S06K3L-VB可用于高功率電源開關模塊，以提供電能轉換和電壓調節功能。適用于各種電子設備、通信設備和工業設備。

2. 電機驅動：在電機控制模塊中，它可以用于電機驅動電路，提供高電流承受能力和低損耗，適用于電動汽車、機器人和工業自動化。

3. 電源逆變器：它還可以用于逆變器電路，將直流電源轉換為交流電源，適用于太陽能逆變器、電動汽車逆變器和UPS系統。

4. 高電流開關：TK20S06K3L-VB可用于高電流開關模塊，如電源分配、電流保護和開關控制。

總之，TK20S06K3L-VB是一種高性能N溝道MOSFET，適用于多個領域的高功率電子模塊，提供電源管理、電機控制、信號放大和逆變功能。