型號：NCE55P04S-VB
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品牌：VBsemi
參數：
- 溝道類型：2個P溝道
- 額定電壓：-60V
- 最大連續電流：-5.3A
- 靜態開啟電阻（RDS(ON)）：58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：-1V 至 -3V
- 封裝類型：SOP8
應用簡介：
NCE55P04S-VB 是一款具有2個P溝道的MOSFET，適用于需要高性能功率開關的電子應用。以下是一些可能的應用領域模塊：
1. **電源開關模塊**：該MOSFET可用于電源開關模塊，以實現高效電源的開關和調節。它適用于便攜設備、電源管理系統和低電壓電源應用。
2. **電池保護模塊**：在需要保護電池免受過放電和過充電的應用中，NCE55P04S-VB 可用于電池保護電路，確保電池的安全運行。
3. **DC-DC變換器**：在需要高效的DC-DC變換器中，這款MOSFET可用于幫助實現電壓升降和電能轉換。它適用于便攜式設備、通信設備和工業應用。
4. **電機驅動模塊**：NCE55P04S-VB 可用于電機驅動和控制模塊，包括直流電機、步進電機和無刷直流電機驅動。
5. **電流控制模塊**：在需要高性能電流控制的應用中，這款MOSFET可以用于電流傳感器和電流放大器模塊。
NCE55P04S-VB 具有2個P溝道，適用于需要同時控制兩個P溝道MOSFET的應用，以實現高性能功率開關。在實際應用中，請務必遵守數據手冊中的電氣規格和工作條件，以確保最佳性能和可靠性。
