SGC1011-300B-R X波段內部匹配 GaN HEMT

GaN HEMT X波段

型號： SGC1011-300B-R

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGC1011-300B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地日本
封裝 IK

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的SGC1011-300B-R是一種高功率GaN HEMT內部匹配X波段雷達波段，提供最佳50歐姆系統中的功率和增益。

型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGC1011-300B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地日本
封裝 IK

型號參數
高輸出功率：Psat=55.0dBm（典型值）
高增益：Gp=9.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=37%（典型值）
寬帶：9.8至10.5GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝
長脈沖操作*
需要降低Vds和/或低外殼溫度來保持
Tch低于200攝氏度。詳情請聯系。

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