IRLR3110ZPBF (VBE1101N)參數(shù)說明：N溝道，100V，70A，導通電阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓3.2V，封裝：TO252。
應用簡介：IRLR3110ZPBF適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關(guān)、電機控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其極低的導通電阻使其在低電壓降場景中性能卓越。
優(yōu)勢與適用領(lǐng)域：適用于高功率應用，如電源開關(guān)、電機控制和逆變器等模塊。
極低的導通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。
