IPD640N06LG (VBE1638)參數(shù)說明：N溝道，60V，45A，導通電阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.8V，封裝：TO252。
應用簡介：IPD640N06LG適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關、電機控制和逆變器等領域模塊。
其高電流承載能力使其在大電流需求場景中表現(xiàn)出色。
適用領域與模塊：適用于高功率應用，如電源開關、電機控制和逆變器等模塊。
高電流承載能力滿足大電流需求。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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