--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 2個P
- 封裝 SOT23-6
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
VBsemi推出了AP2625GY型號的MOS管,其絲印型號為VB4290。這款MOS管是雙P溝道晶體管,具有優(yōu)異的性能參數(shù)。最大工作電壓為-20V,最大工作電流為-4A。導(dǎo)通狀態(tài)下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為75mΩ @ 4.5V和100mΩ @ 2.5V。此外,該產(chǎn)品支持12Vgs(±V)的驅(qū)動電壓范圍,其閾值電壓范圍為-1.2~-2.2V。
AP2625GY MOS管采用緊湊的SOT23-6封裝,為各種電路設(shè)計提供了高度的靈活性和集成性。它在多個領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用。在功率放大、開關(guān)電源和電流驅(qū)動等領(lǐng)域,AP2625GY MOS管可以發(fā)揮其優(yōu)越的電性能,實現(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換。在音頻放大器模塊中,該產(chǎn)品可用于信號放大和功率輸出。此外,在電池充放電管理系統(tǒng)中,它可以用于電池保護(hù)、充電和放電控制等功能。
總之,AP2625GY MOS管是VBsemi為滿足不同領(lǐng)域需求而推出的高品質(zhì)產(chǎn)品。其在功率放大、音頻放大、電池充放電管理等領(lǐng)域的應(yīng)用,為各種模塊的設(shè)計提供了高效可靠的解決方案。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:26
產(chǎn)品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:23
產(chǎn)品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:20
產(chǎn)品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:16
產(chǎn)品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:14
產(chǎn)品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:12
產(chǎn)品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:09
產(chǎn)品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:07
產(chǎn)品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:06
產(chǎn)品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2025-01-15 17:03
產(chǎn)品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N