--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 額定電壓 60V
- 最大持續(xù)電流 0.3A
- 導通電阻 2800mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍 20V(正負)
- 閾值電壓 1.6V
- 封裝 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 AO3460-VB
絲印 VB162K
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 N溝道
額定電壓(Vds) 60V
最大持續(xù)電流(Id) 0.3A
導通電阻(RDS(ON)) 2800mΩ @ 10V
門源電壓范圍(Vgs) 20V(正負)
閾值電壓(Vth) 1.6V
封裝 SOT23
應用簡介
AO3460-VB是一款N溝道場效應晶體管(MOSFET),適用于需要低功耗和低電流的電子應用。它通常用于小功率電路和電子開關(guān)應用。
詳細參數(shù)說明
1. 類型 這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正向電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于需要正向電壓操作的電路中。
2. 額定電壓(Vds) 它可以承受的最大漏極-源極電壓為60V。這表示它可以在相對高電壓條件下工作。
3. 最大持續(xù)電流(Id) 這款MOSFET的最大電流承受能力為0.3A。這使其適用于低功耗和小電流的應用。
4. 導通電阻(RDS(ON)) RDS(ON)是導通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為2800mΩ,表示在導通狀態(tài)下的功耗相對較高,適用于小功率應用。
5. 門源電壓范圍(Vgs) MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態(tài)。
6. 閾值電壓(Vth) 這款MOSFET的閾值電壓為1.6V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。
7. 封裝 這款MOSFET采用SOT23封裝,這是一種小型封裝類型,適用于緊湊的電路設計。
應用領(lǐng)域
AO3460-VB這款MOSFET適用于多種需要低功耗和低電流的電子模塊和設備,包括但不限于以下領(lǐng)域模塊
1. 小功率電子開關(guān) 常用于小型電子設備的開關(guān)電路,例如手機、平板電腦和便攜式電子設備中的電源管理。
2. 信號開關(guān) 在需要低功耗的信號開關(guān)電路中使用,例如傳感器信號處理和通信設備。
3. 電池管理 可用于低功耗電池管理電路,以延長電池壽命和提高能效。
4. 模擬電路保護 在模擬電路中用于過壓和過流保護。
5. 小型電源轉(zhuǎn)換器 在需要小功率電源轉(zhuǎn)換的應用中使用,例如低功耗DC-DC轉(zhuǎn)換器。
總之,AO3460-VB適用于需要低功耗和低電流操作的小型電子模塊和設備,特別是在需要低功耗和小功率的應用中。
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