型號 PHD78NQ03LT-VB
絲印 VBE1307
品牌 VBsemi
參數(shù)
溝道類型 N溝道
最大耐壓 30V
最大持續(xù)電流 60A
開通電阻（RDS(ON)） 10mΩ @ 10Vgs、11mΩ @ 4.5Vgs
閾值電壓（Vth） 1.6V
封裝類型 TO252
應(yīng)用簡介
PHD78NQ03LT-VB是一款高性能的N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），具有高電流承受能力和低開通電阻，適用于多種高功率電子應(yīng)用。以下是它的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域
1. 電源模塊 這款MOSFET的低開通電阻和高電流承受能力使其非常適合用于電源模塊，如開關(guān)穩(wěn)壓器和直流-直流變換器，以提供高效率和穩(wěn)定的電源輸出。
2. 電機驅(qū)動 PHD78NQ03LT-VB可以用于電機驅(qū)動電路，如電機控制、電動汽車電機驅(qū)動和工業(yè)自動化中的電機控制，以實現(xiàn)高效的電機運行。
3. 電池保護模塊 由于其高電流承受能力，它也可以用于電池保護模塊，確保電池在充電和放電時的安全性和性能。
4. 電源開關(guān) 這款MOSFET可以用于電源開關(guān)，用于控制電路的通斷狀態(tài)，例如高功率電子設(shè)備中的電源開關(guān)。
總之，PHD78NQ03LT-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，適用于各種高功率電子應(yīng)用，特別是需要高電流承受能力和低電阻的領(lǐng)域。它在電源模塊、電機驅(qū)動、電池保護模塊和電源開關(guān)等模塊中都有廣泛的用途。
