型號 IPD78CN10N G絲印 VBE1106N品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 極性 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 25A 開通電阻（RDS(ON)） 55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 73mΩ @ 2.5V 額定柵極源極電壓（Vgs） 20V (±V) 閾值電壓（Vth） 1.4V 封裝類型 TO252應(yīng)用簡介 IPD78CN10N G是一款N溝道MOSFET，具有高電壓和高電流能力，適用于各種領(lǐng)域的模塊應(yīng)用。其特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和可靠性。主要應(yīng)用領(lǐng)域 1. 照明模塊 IPD78CN10N G可應(yīng)用于LED照明模塊中的電源管理和驅(qū)動控制。其高電壓和高電流能力使其能夠提供可靠的功率開關(guān)和精確的照明調(diào)節(jié)。2. 功率轉(zhuǎn)換 由于IPD78CN10N G具有較低的導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度，可以應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換模塊中的DCDC轉(zhuǎn)換器和逆變器。它能夠提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。3. 電動車輛 IPD78CN10N G適用于電動車輛中的電源管理和驅(qū)動控制模塊。其高電壓和低導(dǎo)通電阻能夠提供高效的功率傳輸和穩(wěn)定的電動車輛運(yùn)行。4. 工業(yè)自動化 在工業(yè)自動化領(lǐng)域，IPD78CN10N G可用于電機(jī)控制、傳感器接口和數(shù)據(jù)采集模塊。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠提供穩(wěn)定的信號處理和精確的控制功能。綜上所述，IPD78CN10N G適用于照明模塊、功率轉(zhuǎn)換、電動車輛和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的模塊應(yīng)用。它具有高電壓、高電流能力和低導(dǎo)通電阻，能夠滿足各種應(yīng)用需求，并提供高效的功率開關(guān)和電流控制。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 極性 N溝道
- 額定電壓 100V
- 額定電流 25A
- RDS(ON) 55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5v
- 額定柵極源極電壓 20V (±V)
- 閾值電壓（Vth） 1.4V
- 封裝類型 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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