型號 AP6679GH絲印 VBE2309品牌 VBsemi詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 60A 開通電阻（RDS(ON)） 9mΩ @ 10V, 12mΩ @ 4.5V 額定柵極源極電壓（Vgs） 20V (±V) 閾值電壓（Vth） 1.71V 封裝類型 TO252應用簡介 AP6679GH是一款P溝道MOSFET，具有高電流能力和低導通電阻，適用于各種領域的模塊應用。它具有高效能夠提供高效的功率開關和電流控制。主要應用領域 1. 電源模塊 AP6679GH可用于開關電源、DCDC轉換器和逆變器等電源模塊應用。它的高電流能力和低導通電阻有助于提供穩定的電壓輸出和高效的功率傳輸。2. 電動車輛 由于AP6679GH具有較高的電流能力和寬工作電壓范圍，可以應用于電動車輛中的電源管理和電流控制模塊。其低導通電阻能夠減少功率損耗，提高能效。3. 工業自動化 在工業自動化領域，AP6679GH可用于電機控制、傳感器接口和數據采集模塊等應用。其高電流能力和低導通電阻可以提供穩定的信號處理和精確的控制功能。4. 汽車電子模塊 AP6679GH可應用于汽車電子模塊中的驅動控制和電源管理等模塊。其高電流能力和低導通電阻可以確保汽車系統的可靠性和高性能。綜上所述，AP6679GH適用于電源模塊、電動車輛、工業自動化和汽車電子模塊等領域的模塊應用。它具有高電流能力、低導通電阻和穩定的性能特點，能夠滿足各種應用需求。
--- 產品參數 ---
- 極性 P溝道
- 額定電壓 30V
- 額定電流 60A
- RDS(ON) 9mΩ @ 10V, 12mΩ @ 4.5
- 額定柵極源極電壓（V 20V (±V)
- 閾值電壓（Vth） 1.71V
- 封裝類型 TO252
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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