型號 MTB1D7N03E3絲印 VBM1302品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 180A RDS(ON) 2mΩ @ 10V，2.8mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 20V 門源閾值電壓 1.7V 封裝類型 TO220應用簡介 MTB1D7N03E3（絲印 VBM1302）是VBsemi公司生產的一款N溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 MTB1D7N03E3是一款N溝道功率MOSFET，具有高電壓和大電流承載能力。主要參數包括額定電壓為30V，額定電流為180A，RDS(ON)為2mΩ @ 10V，2.8mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為20V，門源閾值電壓為1.7V，封裝類型為TO220。應用領域 MTB1D7N03E3（VBM1302）適用于多種領域和應用場景，主要用于需要N溝道功率MOSFET的高電壓和大電流承載能力的電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 MTB1D7N03E3可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。2. 電機驅動 它可應用于電機驅動電路中，提供高功率和高效能的電力輸出，適用于工業自動化和機械設備中的電機驅動。3. 汽車電子系統 MTB1D7N03E3適用于汽車電子系統中的電源管理、電機驅動和照明控制等方面，滿足汽車電子系統對高電壓和高功率的要求。綜上所述，MTB1D7N03E3（VBM1302）是一款N溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電機驅動和汽車電子系統等領域模塊。它具有高電壓和大電流承載能力，適用于需要高功率和高效能的電路。
--- 產品參數 ---
- 頻道類型 N溝道
- 額定電壓 30V
- 額定電流 180A
- RDS(ON) 2mΩ @ 10V，2.8mΩ @ 4.5V
- 門源電壓范圍 20V
- 門源閾值電壓 1.7V
- 封裝類型 TO220
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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