--- 產品參數 ---
- 頻道類型 N+P溝道
- 額定電壓 ±30V
- 額定電流 9A / 6A
- RDS(ON) 15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ
- 門源電壓范圍 ±20V
- 門源閾值電壓 ±1.65V
- 封裝類型 SOP8
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號 C3028LD絲印 VBA5325品牌 VBsemi參數 頻道類型 N+P溝道 額定電壓 ±30V 額定電流 9A / 6A RDS(ON) 15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ / 50mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 ±1.65V 封裝類型 SOP8應用簡介 C3028LD(絲印 VBA5325)是VBsemi公司生產的一款具有N+P溝道的MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 C3028LD具有N+P溝道的MOSFET,可用于需要同時使用N溝道和P溝道的電路。主要參數包括額定電壓為±30V,額定電流為9A(N溝道) / 6A(P溝道),RDS(ON)為15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ / 50mΩ @ 4.5V,門源電壓范圍為±20V,門源閾值電壓為±1.65V,封裝類型為SOP8。應用領域 C3028LD(VBA5325)適用于多種領域和應用場景,主要用于需要N+P溝道的功率MOSFET的電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 C3028LD可用于電源管理模塊中,提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出,改善系統的功耗和效率。2. 汽車電子系統 它適用于汽車電子系統中的電源管理、電機驅動和照明控制等方面,滿足對高電流和高功率的要求。3. 工業控制系統 C3028LD可用于工業控制系統中的開關電路,提供可靠的電流控制與電能轉換。綜上所述,C3028LD(VBA5325)是一款具有N+P溝道的MOSFET,適用于電源管理模塊、汽車電子系統和工業控制系統等領域模塊。它具有高電壓承載能力和低導通電阻,適用于需要高功率和高效能的電路。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N