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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXMN2A01F N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： ZXMN2A01F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXMN2A01F
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMN2A01F 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXMN2A01F 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXMN2A01F
名稱                    N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.9 A
PD @TA = +25°C (W) 0.625 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 225 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.7 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3 nC
CISS Typ (pF) 310 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
切換速度快
低閾值
低門驅(qū)動器
小型表面安裝封裝


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