產品簡介
DIODES 的 DMTH69M8LFVW 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

產品規格  
品牌                    DIODES
型號                    DMTH69M8LFVW
名稱                    60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地                    臺灣
封裝                    PowerDI?3333-8 (SWP) (Type UX)

產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15.9 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 45.4 A
PD @TA = +25°C (W) 3.6 W
PD @TC = +25°C (W) 29.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 33.5 nC
CISS Typ (pF) 1925 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V

主要特征
額定溫度為 +175°C——高環境溫度環境的理想選擇
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 — 確保最終應用更可靠、更穩健
低導通電阻
小外形熱效率封裝可實現更高密度的最終產品
用于改進光學檢測的可潤濕側面

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