--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMTH6005LK3Q
- 名稱 60V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 TO252
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH6005LK3Q 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AECQ101 資格并得到 PPAP 支持。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMTH6005LK3Q
名稱 60V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 TO252
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 3.9 W
PD @TC = +25°C (W) 100 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 23.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 47.1 nC
CISS Typ (pF) 2962 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低 R DS(ON) – 最大限度地減少功率損耗
低 QG –最大限度地減少開關(guān)損耗
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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