--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMTH6004SCTB
- 名稱(chēng) 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 TO263AB
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH6004SCTB 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn),使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH6004SCTB
名稱(chēng) 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TO263AB
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 4.7 W
PD @TC = +25°C (W) 136 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3.4 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 95.4 nC
CISS Typ (pF) 4556 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低 R DSON – 最大限度地減少功率損耗
低 Q g – 最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗
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