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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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DMTH4014LDVWQ 40V +175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH4014LDVWQ

--- 產品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH4014LDVWQ
  • 名稱 40V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 POWERDI®3333-8

--- 產品詳情 ---

DMTH4014LDVWQ 

產品簡介
DIODES 的 DMTH4014LDVWQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準,并由 PPAP 支持。

 

產品規(guī)格 
品牌                   DIODES
型號                   DMTH4014LDVWQ
名稱                   40V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地                   臺灣
封裝                    POWERDI?3333-8


產品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.2 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 27.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 27.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.2 nC
CISS Typ (pF) 750 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 – 確保最終應用更加可靠和穩(wěn)健
低 R DS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
低導通電阻
低輸入電容
開關速度快
用于改進光學檢測的可潤濕側面


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