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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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DMTH10H010LCTB 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH10H010LCTB

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH10H010LCTB
  • 名稱 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 TO263AB (D2PAK)

--- 產品詳情 ---

DMTH10H010LCTB 

產品簡介
DIODES 的 DMTH10H010LCTB 這種新一代N溝道增強型MOSFET設計用于最小化RDS(ON),同時保持卓越的切換表演該設備是高效電源的理想選擇管理應用程序。

 

產品規格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH10H010LCTB
名稱                  100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地                  臺灣
封裝                  TO263AB (D2PAK)


產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 3.9 W
PD @TC = +25°C (W) 125 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 17 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.7 nC
CISS Typ (pF) 2592 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
額定溫度為+175°C——適用于高環境溫度環境
100%無阻尼感應開關——確保更可靠和穩健的最終應用
低RDS(ON)--最大限度地減少電源損耗
低Qg——最大限度地減少開關損耗


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