產品簡介
DIODES 的 DMT6012LPSW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產品規格
品牌 DIODES
型號 DMT6012LPSW
名稱 60V N 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 PowerDI?5060-8
產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.1 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 31.5 A
PD @TA = +25°C (W) 3.1 W
PD @TC = +25°C (W) 17.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 17 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22.2 nC
CISS Typ (pF) 1522 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 — 確保最終應用更加可靠和穩健
高轉換效率
低 RDS(ON) — 最大限度地減少狀態損失
低輸入電容
開關速度快
ESD保護柵極
用于改進光學檢測的可濕性側面
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