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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMT3020LFCL 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMT3020LFCL

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMT3020LFCL
  • 名稱 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN1616-6 (Type K)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMT3020LFCL 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT3020LFCL 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMT3020LFCL
名稱                  30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  U-DFN1616-6 (Type K)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 32 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7 nC
CISS Typ (pF) 393 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
典型的板外輪廓為 0.6 毫米 – 非常適合薄型應(yīng)用
低 R DS(ON) – 最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
PCB 占位面積為 2.56mm 2


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