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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMT10H003SPSW 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMT10H003SPSW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMT10H003SPSW
  • 名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMT10H003SPSW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT10H003SPSW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMT10H003SPSW
名稱                 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI?5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 152 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 139 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 85 nC
CISS Typ (pF) 5542 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試 - 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關(guān)速度快
用于改進(jìn)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面


相關(guān)型號
DMS2095LFDB
DMS2120LFWB
DMS2220LFDB
DMS3014SFGQ
DMT10H003SPSW
DMT10H009LCG
DMT10H009LFG
DMT10H009LH3
DMT10H009LK3
DMT10H009LPS
DMT10H009LSS
DMT10H009SCG
DMT10H009SK3
DMT10H009SPS
DMT10H009SSS
DMT10H010LCT
DMT10H010LK3
DMT10H010LPS
DMT10H010LSS
DMT10H010LSSQ
DMT10H010SPS
DMT10H014LSS
DMT10H015LCG
DMT10H015LFG
DMT10H015LK3
DMT10H015LPS
DMT10H015LSS
DMT10H015SK3
DMT10H015SPS
DMT10H017LPD
DMT10H025LK3
DMT10H025LSS
DMT10H025SK3
DMT10H025SSS
DMT10H032LDV
DMT10H032LFDF
DMT10H032LFVW
DMT10H032LK3
DMT10H032LSS
DMT10H032SFVW
DMT10H052LFDF
DMT10H072LFDF
DMT10H072LFDFQ
DMT10H072LFV
DMT10H4M5LPS
DMT10H9M9LCT
DMT10H9M9SCT
DMT10H9M9SH3
DMT12H007LPS
DMT12H007SPS
DMT12H060LCA9
DMT12H060LFDF
DMT12H065LFDF
DMT12H090LFDF4
DMT15H017LPS
DMT15H017LPSW
DMT15H017SK3
DMT15H035SCT
DMT15H053SK3
DMT15H053SSS
DMT15H067SSS
DMT2004UFDF
DMT2004UFG
DMT2004UFV
DMT2004UPS
DMT2005UDV
DMT3002LPS
DMT3003LFG
DMT3003LFGQ
DMT3004LFG
DMT3004LPS

100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT10H003SPSW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMT10H003SPSW
名稱                 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI?5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 152 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 139 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 85 nC
CISS Typ (pF) 5542 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
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