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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP2100UFU 雙P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMP2100UFU

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP2100UFU
  • 名稱(chēng) 雙 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2030-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2100UFU  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP2100UFU 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMP2100UFU
名稱(chēng)                  雙 P  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  U-DFN2030-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 38 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 43 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 75 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 21.4 nC
CISS Typ (pF) 906 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快


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