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立年電子科技

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DMN53D0LV 雙N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN53D0LV

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN53D0LV
  • 名稱 雙N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN53D0LV 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN53D0LV 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN53D0LV
名稱                雙N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                SOT563

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 50 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.35 A
PD @TA = +25°C (W) 0.43 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 1600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 4500 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
CISS Typ (pF) 46 pF

 

主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導通電阻
極低的柵極閾值電壓
低輸入電容
開關速度快
低輸入/輸出泄漏
超小型表面貼裝封裝
ESD 保護高達 2kV

 

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