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DMN2710UDWQ 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2710UDWQ

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2710UDWQ
  • 名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 SOT363

--- 產品詳情 ---

DMN2710UDWQ 

產品簡介
DIODES 的 DMN2710UDWQ 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態降至最低電阻(RDS(ON))同時保持優異的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。


產品規格 
品牌               DIODES
型號               DMN2710UDWQ
名稱               雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產地               臺灣
封裝               SOT363


產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.8 A
PD @TA = +25°C (W) 0.49 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC

 

主要特征
低導通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關速度快
低輸入/輸出泄漏
互補對 MOSFET
超小型表面貼裝封裝
靜電放電保護


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