產品簡介
DIODES 的 DMN22M5UFG 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選，用于高效電源管理應用。

產品規格 
品牌               DIODES
型號               DMN22M5UFG
名稱               20V N 溝道增強型 MOSFET
產地               臺灣
封裝               PowerDI?3333-8

產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 27 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2.0 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2.6 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 53 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 99 nC
CISS Typ (pF) 3926 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

主要特征
低 RDS(ON) – 確保導通狀態損耗最小化
小尺寸、高熱效率封裝可實現更高密度的最終產品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現更小的最終產品
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 – 確保最終應用更加可靠和穩健

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