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DMN1004UFDF 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN1004UFDF

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN1004UFDF
  • 名稱 12V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產品詳情 ---

DMN1004UFDF 

產品簡介
DIODES 的 DMN1004UFDF這種新一代MOSFET設計用于最大限度地減少導通狀態電阻(RDS(ON))同時保持優異的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇

 

產品規格 
品牌            DIODES
型號            DMN1004UFDF
名稱            12V N 溝道增強型 MOSFET
產地            臺灣
封裝             U-DFN2020-6


產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 26 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 47 nC
CISS Typ (pF) 2385 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V


主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應用的理想選擇
PCB 占地面積 4mm 2
低柵極閾值電壓
低導通電阻
ESD 保護高達 8kV


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