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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMG6301UDW 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號： DMG6301UDW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMG6301UDW
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT363

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG6301UDW 

 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG6301UDW 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMG6301UDW 
名稱            N溝道MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SOT363

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 25 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.24 A
PD @TA = +25°C (W) 0.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 5000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.65 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.36 nC
CISS Typ (pF) 27.9 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
切換速度快
小型表面安裝組件
ESD保護(hù)門（>6kV人體模型）


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