制造商: Toshiba
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: Yes
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23F-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2 A
Rds On-漏源導通電阻: 400 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV
Qg-柵極電荷: 8.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: U-MOSVI
系列: SSM3J356R
商標: Toshiba
配置: Single
正向跨導 - 最小值: 4.7 S
高度: 0.9 mm
長度: 2.9 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
包裝數(shù)量：3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 48 ns
典型接通延遲時間: 29 ns
寬度: 1.3 mm
單位重量: 11 mg
