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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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QPD1017 內(nèi)部匹配分立式 GaN

型號： QPD1017

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 3,100
  • 最大頻率(MHz) 3,500
  • 增益（分貝） 16.5
  • 飽和度(dBm) 56.6
  • PAE （%） 60
  • 電壓（伏） 50
  • Idq （毫安） 750
  • 包裝類型 RF-565
  • 包裝（毫米） 17.40 x 24.00 x 4.31

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1017

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1017 是一款 450 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 3.1 至 3.5 GHz，采用 50V 電源軌。該器件是 GaN IMFET，完全匹配 50 歐姆，采用行業(yè)標準氣腔封裝，非常適合軍用雷達。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 3,100
最大頻率(MHz) 3,500
增益（分貝） 16.5
飽和度(dBm) 56.6
PAE （%） 60
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 750
包裝類型 RF-565
包裝（毫米） 17.40 x 24.00 x 4.31

 

主要特征
頻率范圍：3.1 - 3.5 GHz
輸出功率 (P3dB)：3.3 GHz 時為 460 W
線性增益：3.3 GHz 時典型值為 16.5 dB
典型 PAE3dB：3.3 GHz 時為 60%
工作電壓：50V
低熱阻封裝
脈沖能力

 

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