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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK652R0-30C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BUK652R0-30C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK652R0-30C-VB 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品名稱**: BUK652R0-30C-VB

**封裝**: TO-220

**配置**: 單極N溝MOSFET

BUK652R0-30C-VB是一款高性能的N溝MOSFET,專為高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用TO-220封裝,并采用先進(jìn)的Trench技術(shù),以實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。這使得該MOSFET在需要高效能和高可靠性的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **V_DS(漏源電壓)**: 30V  
 MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。

- **V_GS(柵源電壓)**: ±20V  
 MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。

- **V_th(柵極閾值電壓)**: 1.7V  
 使MOSFET開始導(dǎo)通所需的最小柵源電壓。

- **R_DS(ON)(漏源導(dǎo)通電阻)**:
 - 2.8mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 2mΩ @ V_GS = 10V  

 MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關(guān)效率和較低的功率損耗。

- **I_D(連續(xù)漏極電流)**: 140A  
 MOSFET能夠承受的最大連續(xù)漏極電流。

- **技術(shù)**: Trench  
 采用Trench技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻和高效性能。

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BUK652R0-30C-VB MOSFET適用于各種高電流和高效能的應(yīng)用場(chǎng)景:

1. **電源管理**:
  - **高電流電源開關(guān)**: 適用于高電流開關(guān)應(yīng)用,如高效開關(guān)電源(SMPS),其極低的R_DS(ON)值能顯著減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
  - **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中提供高效的電力轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),尤其適用于需要高電流處理的場(chǎng)合。

2. **電機(jī)控制**:
  - **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)或電動(dòng)汽車(EV)電機(jī)控制,能夠處理高達(dá)140A的電流,提供高效、可靠的開關(guān)性能。
  - **伺服電機(jī)**: 適用于精密伺服電機(jī)控制系統(tǒng),如機(jī)器人和自動(dòng)化設(shè)備,確保穩(wěn)定的高電流控制。

3. **汽車應(yīng)用**:
  - **電力分配系統(tǒng)**: 在汽車電力分配系統(tǒng)中處理高電流負(fù)載,確保電力系統(tǒng)的可靠性和高效性。
  - **電池管理系統(tǒng)(BMS)**: 提升混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車中的電池管理系統(tǒng)性能,優(yōu)化高電流的處理能力。

4. **消費(fèi)電子**:
  - **電源供應(yīng)單元(PSU)**: 適用于高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源供應(yīng)單元,如高性能計(jì)算機(jī)和音響系統(tǒng),提供高效的電源管理。
  - **充電解決方案**: 用于高電流充電應(yīng)用,如快速充電系統(tǒng)和高功率充電器,確保高效、可靠的充電過程。

BUK652R0-30C-VB以其極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合各種高功率、高效能應(yīng)用需求,確保系統(tǒng)的高效和可靠性。

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