### 產品簡介

**BUK6226-75C-VB** 是一款采用 Trench 技術的單極 N 通道 MOSFET，封裝形式為 TO252。其主要特性包括較高的耐壓能力、低的導通電阻和較大的連續電流承載能力。這款 MOSFET 設計用于高效能電源管理應用，適用于各種高功率和高頻率的開關模式。

### 詳細參數說明

- **封裝**：TO252
- **配置**：單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**：100V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**：±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：1.8V
- **導通電阻 (RDS(on))**：18mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**：45A
- **技術**：Trench 技術

### 適用領域與模塊舉例

**BUK6226-75C-VB** 主要用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**：該 MOSFET 具有低導通電阻和高電流能力，非常適合用于高效的電源轉換模塊，如 DC-DC 轉換器和電源供應器。它能夠有效降低電源損耗，提高系統的整體效率。

2. **電動汽車**：在電動汽車的電源系統中，該 MOSFET 可用于電池管理系統（BMS）中，負責控制和管理電池的充電和放電過程，確保電池的安全和高效運作。

3. **開關電路**：其高電流承載能力和低導通電阻使其成為開關電路的理想選擇，例如高功率開關電源和逆變器。這種 MOSFET 能夠在開關過程中保持低的功耗和高的可靠性。

4. **消費電子**：在消費電子產品如筆記本電腦和電視機的電源管理模塊中，這款 MOSFET 可用于控制和優化電源供應，提高產品的穩定性和能效。

通過這些應用例子可以看出，BUK6226-75C-VB 是一款多功能的高性能 MOSFET，能夠滿足各種高功率和高效能電源管理需求。