--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
BUK6213-30C-VB 是一款高功率單N溝道MOSFET,封裝形式為TO252。這款MOSFET 采用先進的溝槽技術,提供了極低的導通電阻和高電流處理能力。它特別適用于需要高電流和高效率的應用場景,如電源管理和功率開關。
### 詳細參數說明
- **型號**:BUK6213-30C-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ(VGS = 4.5V)
- 5mΩ(VGS = 10V)
- **漏極電流 (ID)**:80A
- **技術**:溝槽技術
### 適用領域和模塊舉例
1. **高功率電源管理**:由于BUK6213-30C-VB 的極低導通電阻和高電流能力,它非常適合用于高功率電源管理系統中,如開關電源和DC-DC轉換器。這款MOSFET 能夠有效減少能量損失,提升電源效率,并確保在高負載下的穩定運行。
2. **電動汽車**:在電動汽車中,這款MOSFET 可以用于電池管理和電機驅動系統。其高電流承載能力和低導通電阻使其能夠應對電動汽車中復雜的電流需求和高效的功率開關,提升整車性能和電池壽命。
3. **工業控制系統**:BUK6213-30C-VB 在工業控制系統中也有廣泛應用,如電機控制和負載開關。它的高電流處理能力和低導通電阻能夠在要求高可靠性和高性能的工業環境中提供穩定的控制。
4. **消費電子產品**:在需要高電流和低功耗的消費電子產品中,如高功率音響系統和高級電源適配器,BUK6213-30C-VB 的優異性能可以保證設備在高負載情況下的穩定性和能效。
BUK6213-30C-VB 的卓越電氣性能和高功率能力使其成為各種高要求應用中的理想選擇,為現代電子設備提供了高效、可靠的解決方案。
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