### BSZ130N03MS G-VB 產品簡介

**產品簡介：**
BSZ130N03MS G-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET，采用DFN8 (3x3) 封裝。其最大漏極電壓（VDS）為30V，柵極電壓（VGS）最大為±20V，閾值電壓（Vth）為1.7V。此MOSFET具有低導通電阻（RDS(ON)），在柵極電壓為4.5V時為19mΩ，在柵極電壓為10V時為13mΩ。其最大連續漏極電流（ID）為30A，采用先進的溝槽技術（Trench）制造，確保高效能和可靠性。

### BSZ130N03MS G-VB 詳細參數說明

| 參數            | 值                          |
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| **封裝類型**   | DFN8 (3x3)                 |
| **配置**       | 單N溝道                    |
| **最大漏極電壓（VDS）** | 30V                        |
| **最大柵極電壓（VGS）** | ±20V                       |
| **閾值電壓（Vth）**      | 1.7V                       |
| **導通電阻（RDS(ON)）** | 19mΩ @ VGS=4.5V；13mΩ @ VGS=10V |
| **最大連續漏極電流（ID）** | 30A                        |
| **技術**       | 溝槽（Trench）              |

### BSZ130N03MS G-VB 適用領域和模塊

**電源轉換器：** BSZ130N03MS G-VB 適用于電源轉換器模塊，如DC-DC轉換器和開關電源。其較低的導通電阻和較高的電流處理能力使其在這些應用中能夠高效地進行能量轉換，同時保持良好的熱性能和穩定性。

**電池管理系統：** 在電池管理系統中，這款MOSFET可以用于過流保護和負載開關。其低閾值電壓和低導通電阻有助于提高系統的能效，并延長電池的使用壽命。

**汽車電子：** BSZ130N03MS G-VB 在汽車電子應用中也表現出色，例如在車身控制模塊和動力系統中。其高電流處理能力和低導通電阻滿足了汽車電子對高可靠性和穩定性的要求。

**電機控制：** 在電機控制系統中，BSZ130N03MS G-VB 能夠有效地驅動各種電機，包括步進電機和直流電機。其優異的開關性能和高電流能力使其在電機驅動中能夠提供精確的控制和高效的功率傳輸。

**LED驅動：** 該MOSFET也適用于LED驅動模塊。在高功率LED應用中，它的低導通電阻和優秀的熱性能可以確保LED燈具的穩定工作，并提高整體照明系統的能效。

綜上所述，BSZ130N03MS G-VB 是一款性能優異、應用廣泛的MOSFET，適用于電源管理、電池保護、汽車電子、電機控制和LED驅動等多個領域，能夠滿足各種高性能需求。