--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**BSZ100N03MS G-VB** 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用DFN8(3X3)封裝。該器件專為高效功率轉換和管理應用而設計,具有低導通電阻和高開關速度,適合各種高功率密度的應用場景。其30V的漏源電壓(VDS)和30A的連續漏極電流(ID)使其在多個領域的應用中都表現出色。
### 二、詳細參數說明
- **型號**:BSZ100N03MS G-VB
- **封裝類型**:DFN8(3X3)
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**:30A
- **技術**:Trench
### 三、應用領域和模塊舉例
**1. 計算機與服務器電源管理**:
BSZ100N03MS G-VB 在計算機和服務器的電源管理模塊中具有重要應用。其低導通電阻和高電流承載能力使其能夠高效地管理和分配電能,從而提高系統的整體效率并減少能耗。
**2. 汽車電子**:
在汽車電子領域,這款MOSFET可用于電池管理系統、DC-DC轉換器和電動機控制器。其高可靠性和低開關損耗有助于提高電動汽車和混合動力車輛的性能和效率。
**3. 通信設備**:
在通信基站和路由器等通信設備中,BSZ100N03MS G-VB 可用于電源管理和負載開關。其快速開關速度和低導通電阻確保了高效的功率轉換和穩定的電源供應。
**4. 工業自動化**:
在工業自動化領域,這款MOSFET適用于驅動電動機、控制器和其他高功率設備。其高電流處理能力和堅固的結構能夠應對惡劣的工業環境。
**5. 消費電子產品**:
對于如智能手機、平板電腦和筆記本電腦等消費電子產品,BSZ100N03MS G-VB 的高效功率管理能力有助于延長電池壽命并減少熱量生成,從而提升用戶體驗。
通過上述領域的應用示例,可以看出BSZ100N03MS G-VB 在各類高功率、高效率的電子設備中具有廣泛的應用前景。
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