### 一、BSZ100N03LS G-VB產品簡介

BSZ100N03LS G-VB是一款采用先進溝槽技術的單N溝道MOSFET，封裝類型為DFN8(3x3)。該器件具有出色的導通電阻和低柵極電荷，適用于需要高效率和高開關速度的應用。其最大漏源電壓為30V，柵源電壓為±20V，導通電阻在不同柵極驅動電壓下分別為19mΩ（VGS=4.5V）和13mΩ（VGS=10V），最大連續漏極電流為30A。適用于直流-直流轉換器、功率管理、負載開關和電機驅動等領域。

### 二、BSZ100N03LS G-VB詳細參數說明

| 參數               | 值                                         |
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| 封裝類型           | DFN8(3x3)                                   |
| 配置               | 單N溝道                                     |
| 最大漏源電壓 (VDS) | 30V                                         |
| 最大柵源電壓 (VGS) | ±20V                                        |
| 閾值電壓 (Vth)     | 1.7V                                        |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 19mΩ @ VGS=4.5V
13mΩ @ VGS=10V          |
| 最大漏極電流 (ID)  | 30A                                         |
| 技術               | 溝槽技術                                   |

### 三、應用領域和模塊舉例

1. **直流-直流轉換器（DC-DC Converter）**：BSZ100N03LS G-VB由于其低導通電阻和高電流能力，適合用于高效率的直流-直流轉換器中，如筆記本電腦、便攜式設備和通信設備中的電源管理模塊。這些轉換器需要快速響應和低功耗的MOSFET，以提高系統整體效率。

2. **功率管理模塊（Power Management）**：在各種電子設備的電源管理中，這款MOSFET可用于電壓穩壓器和負載開關。其高電流處理能力和低導通電阻使其在需要高效功率轉換和管理的應用中表現出色，如智能手機、平板電腦和工業控制系統。

3. **負載開關（Load Switch）**：BSZ100N03LS G-VB的高開關速度和低導通電阻使其成為負載開關應用的理想選擇。它可以有效地控制電源的通斷，適用于計算機主板、服務器和其他需要精確電源控制的設備。

4. **電機驅動（Motor Drive）**：這款MOSFET在電機驅動應用中表現出色，尤其是用于無刷直流電機（BLDC）和步進電機的驅動電路。其高電流容量和低導通電阻有助于降低電機驅動中的功耗，提高系統的可靠性和效率。