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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSZ058N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSZ058N03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BSZ058N03LS G-VB 是一款高性能單通道 N 溝道 MOSFET,封裝為 DFN8(3x3),專為高電流和高效率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其具有 30V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 1.7V 的柵極閾值電壓。在 4.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻為 5mΩ,在 10V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為 3.9mΩ。最大漏極電流為 60A,采用 Trench 技術(shù),提供優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。

### 參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: BSZ058N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 3.9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSZ058N03LS G-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**: 在電源轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中作為開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載管理。
- **電池管理**: 在電池管理系統(tǒng)中作為高電流開關(guān),確保電池的安全和高效使用。
- **工業(yè)控制**: 在高電流工業(yè)設(shè)備中提供穩(wěn)定的開關(guān)控制,適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)。
- **汽車電子**: 用于汽車電源管理系統(tǒng)中的高電流負(fù)載控制,如電動(dòng)座椅、車燈等,提升系統(tǒng)可靠性和效率。

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