**產(chǎn)品簡介：**
BSZ050N03LS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(3x3)，專為中低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的 VDS（漏極-源極最大電壓）為 30V，最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V，漏極電流 ID 達(dá)到 60A。其導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 5mΩ（在 VGS=4.5V 時）和 3.9mΩ（在 VGS=10V 時），采用溝槽型工藝技術(shù)，適合用于高電流開關(guān)應(yīng)用，具有出色的開關(guān)性能和熱管理能力。

**詳細(xì)參數(shù)說明：**
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓（VDS）**: 30V
- **柵源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**: 5mΩ @ VGS = 4.5V；3.9mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 60A
- **技術(shù)**: 溝槽型工藝

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：**
1. **電源開關(guān)**：在高電流電源開關(guān)應(yīng)用中，BSZ050N03LS G-VB 的低 RDS(ON) 和高電流承受能力使其成為高效能電源開關(guān)的理想選擇，適用于電源模塊和功率轉(zhuǎn)換器。
2. **電動汽車**：適合用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動模塊中，其高電流能力可以滿足電動汽車中對開關(guān)器件的嚴(yán)格要求。
3. **工業(yè)控制**：在工業(yè)設(shè)備中，BSZ050N03LS G-VB 可用于負(fù)載開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動，提供高效的開關(guān)控制，確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。