### 產品簡介

BST82-VB是一款高電壓單管N溝道MOSFET，封裝形式為SOT23-3。該MOSFET設計用于處理高電壓應用，具有100V的漏極-源極耐壓和±20V的柵極-源極耐壓，門檻電壓為1.5V。其Trench技術使其在高電壓場合中保持穩定性，雖然導通電阻相對較高，但它在特定應用中表現良好。

### 參數說明

- **型號**: BST82-VB
- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅動下: 3000mΩ
 - 10V柵極驅動下: 2800mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 0.26A
- **技術**: Trench技術

### 應用領域

BST82-VB適用于以下領域和模塊：

1. **高電壓開關**: 由于其高達100V的耐壓，適用于高電壓開關應用，如電源開關和高電壓控制電路。
2. **電源保護**: 在電源保護電路中作為高電壓開關，提供電流切換和電壓保護功能。
3. **信號開關**: 在處理高電壓信號的應用中使用，盡管導通電阻較高，但仍適合高電壓信號切換。
4. **小功率開關**: 適用于小功率設備中的開關控制，尤其是在需要處理高電壓的情況下，如消費電子產品中的開關元件。

該MOSFET的高電壓耐受能力使其在需要處理高電壓和小功率的應用中表現優異。