### 產品簡介

**BSP128-VB** 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，封裝類型為 SOT223。它采用 Trench 技術，專為高電壓應用設計。BSP128-VB 的最大漏源極電壓（VDS）為 200V，適合用于高電壓環境。最大門源極電壓（VGS）為 ±20V，使其在各種驅動條件下工作穩定。其導通電阻（RDS(ON)）在 VGS 為 10V 時為 1200mΩ，適合處理中等電流負載。該 MOSFET 的最大漏極電流（ID）為 1A，能夠滿足一般的電流需求。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSP128-VB
- **封裝**: SOT223
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 200V
- **門源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1200mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 1A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域和模塊舉例

1. **高電壓開關**:
  BSP128-VB 在高電壓開關應用中表現出色，適用于需要處理高電壓的開關電路。例如，它可以用于高電壓電源開關和負載開關，確保高電壓環境中的穩定操作。

2. **電源管理**:
  在電源管理模塊中，BSP128-VB 可用于高電壓電源的開關控制，尤其是在需要穩定高電壓控制的情況下。其高漏源極電壓能力使其適合于電源管理應用中的開關元件。

3. **功率保護**:
  在功率保護電路中，BSP128-VB 可用作保護元件，用于防止過電壓和過電流情況。其高電壓耐受能力和可靠的開關特性使其適合于保護電路免受電壓沖擊的應用。

4. **電壓調節器**:
  在電壓調節器設計中，BSP128-VB 可以用于高電壓調節，提供穩定的電壓調節功能。其高電壓處理能力和穩定的開關性能使其成為電壓調節應用中的合適選擇。

這款 MOSFET 的高電壓處理能力和可靠的開關性能使其在高電壓開關、電源管理和保護電路中表現出色。盡管其導通電阻較高，但在處理高電壓的場合仍能提供有效的解決方案。