### 產品簡介

BSP120-VB是一款高電壓單N溝道MOSFET，采用SOT223封裝，設計用于需要高電壓和中低電流的應用。該MOSFET使用Trench技術，能夠在高達200V的漏源極電壓下穩定工作，并提供最大1A的漏極電流。其較高的導通電阻和較低的電流處理能力使其特別適用于高電壓開關和保護應用，為系統提供可靠的性能。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSP120-VB
- **封裝類型**: SOT223
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1200mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 1A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例

1. **高電壓開關**：BSP120-VB MOSFET非常適合用于高電壓開關應用。其高漏源極電壓承受能力（200V）使其能夠在高電壓環境下穩定工作，并有效控制開關操作。

2. **電源保護**：在電源保護系統中，這款MOSFET可以作為過電壓保護器件，幫助防止電源電壓過高對電路造成損害。其高電壓耐受能力和中等導通電阻使其在保護電源和電路中具有良好的應用表現。

3. **功率開關**：BSP120-VB MOSFET可以用作功率開關，在需要高電壓控制的應用中發揮作用。例如，在某些工業控制系統中，它可以控制高電壓負載，提供可靠的開關操作。

4. **繼電器驅動**：這款MOSFET適用于驅動繼電器，特別是在高電壓應用中。其高電壓耐受能力和穩定的開關性能使其適合用來控制高電壓負載和設備。

5. **高壓電路中的開關**：在高壓電路設計中，BSP120-VB MOSFET能夠處理較高的漏源極電壓和中低電流，確保電路的可靠開關操作。其高電壓能力為高壓電路提供了必要的開關控制。

BSP120-VB憑借其高電壓承受能力和可靠的開關性能，在這些應用中展現了優異的性能，是高電壓開關和保護應用中的理想選擇。