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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSO200N03-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSO200N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSO200N03-VB是一款雙管N溝道MOSFET,封裝形式為SOP8。該MOSFET支持30V的漏極-源極耐壓和±20V的柵極-源極耐壓,具有1.7V的門(mén)檻電壓。采用Trench技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻,適合用于高效能的電源開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用。

### 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSO200N03-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門(mén)檻電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 20mΩ
 - 10V柵極驅(qū)動(dòng)下: 16mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 8.5A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BSO200N03-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**: 用于電源管理系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)控制,提供高效能的電流切換,降低功率損耗。
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為低側(cè)開(kāi)關(guān),支持高電流和高效率的電源轉(zhuǎn)換。
3. **電動(dòng)汽車(chē)**: 適用于電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)控制。
4. **功率放大器**: 在功率放大器和高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,作為開(kāi)關(guān)元件,提供可靠的性能和高效率。

該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在需要高效能和可靠性的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

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